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IBE离子束刻蚀
薄膜图形化刻蚀

IBE离子束刻蚀

质量薄膜高 ——超低污染

产量高,紧凑的系统体积设计­ ——运行成本低

高速衬底架(高达1000RPM)设计,并配备了准确终点监测 (SIMS)

应用范围:

磁阻式随机存取存储器(MRAM)
介电薄膜
III-V族光电子材料刻蚀
自旋电子学
金属电极和轨道
超导体
激光端面镀膜
高反射(HR)膜
防反射(AR)膜
环形激光陀螺反射镜
X射线光学系统
红外(IR)传感器
II-VI族材料
通信滤波器

    MEMS先进代工

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