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IBE离子束刻蚀
质量薄膜高 ——超低污染
产量高,紧凑的系统体积设计 ——运行成本低
高速衬底架(高达1000RPM)设计,并配备了准确终点监测 (SIMS)
应用范围:
磁阻式随机存取存储器(MRAM)
介电薄膜
III-V族光电子材料刻蚀
自旋电子学
金属电极和轨道
超导体
激光端面镀膜
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